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ウエハ-関係 |
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脱脂剤 |
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プロセス |
概要 |
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Elevate Cu Cleaner 100 |
液体酸性クリーナ、セミコンダクター上の銅めっき表面より酸化物と有機物を除去する。ハロゲンとリン酸フリーであり、リンス性が高い。多くのドライフィルムとレジストに対応。 |
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PER Cleaner |
半水性。Cu, W, Al PERクリーニング。稼働範囲が広く金属と酸化物との選択性が高い。水洗可能。DMSO/DIW/フッ化物のクリーナの代替。 |
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化研剤 |
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TechniEtch AC12 |
シアンフリー、金エッチング剤。銅と金をエッチするが銅コンタミの影響が少ない。 |
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TechniEtch Micro CN5 |
ニッケル/銅エッチング剤。ニッケルと銅の間の選択性が高い。 |
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TechniEtch SLC |
銅シードレイヤーのエッチング。すずとすず銀にコンパチビリティがある。 |
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その他 |
その他の金属のエッチング剤の開発が可能です。 |
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ニッケルめっき |
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金属 |
仕上 |
概要 |
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Elevate Ni5910 |
Ni |
半光沢 |
セミコンダー用の低応力、半光沢、高延性なスルファミン酸ニッケル皮膜を生成。アノードは可溶性および不溶性の両方を使用できる。 |
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Elevate Ni5930 |
Ni |
半光沢 |
セミコンダクター用高スローイング性電解ニッケル。複雑な形状に均一な膜厚のめっきが可能。低応力、高延性で、バリアーレイヤーに適する。 |
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バンプ用すずめっき |
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Elevate Tin Lead 1110 |
Sn |
- |
60/40すず鉛共晶合金。バンプ形成用。低アルファ線すず、低アルファ線鉛に対応。 |
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バンプ用電解金めっき |
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Elevate Gold 7950 |
Au |
半光沢〜光沢 |
8020金すず合金を生成。合金のレンジとしては金75-82%に対応しており、溶解温度が組成に応じ280-320℃に対応。ソルダビリティに優れ、中性のため殆ど全てのフォトレジストと互換性を有する。 |
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Elevate AuSn8020 |
Au-Sn |
半光沢〜光沢 |
金80/すず20の共晶合金を析出。バンプ、ウエハ-背面、プリフォーム代用等280-320℃ |
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銅 |
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Elevate Cu 6320 |
Cu |
微細等軸状結晶 |
スローイングパワーが高く膜厚の均一性が高い。ウェハ-上のバンプ、コラム、UBM等の適する。 |
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Elevate Cu6340 |
Cu |
微細等軸状結晶 |
ウエハ-用高速銅めっき浴。4-6ASDでほぼ応力ゼロの皮膜を生成。ウエハ-の片面めっきでもソリが発生しない。 |
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Elevate Cu D6355 |
Cu |
微細等軸状結晶 |
カッパーピラー用銅めっき液。4μｍ/分のめっき速度で平坦なトップピラー面が得られる。 |
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プラチナ |
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Elevate Platinum 7810 |
Pt |
光沢 |
弱酸性プラチナめっき液。光沢、低ストレスの皮膜を生成する。 |
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原料 |
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低アルファ線MSAすず |
Sn |
- |
低アルファ線、メタンスルホン酸すず溶液 |
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超低アルファ線MSAすず |
Sn |
低アルファ線、メタンスルホン酸すず溶液 |
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低アルファ線MSA鉛 |
Pb |
低アルファ線、メタンスルホン酸鉛溶液 |
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半導体グレード硫酸銅 |
Cu |
ダマシン用高純度硫酸銅溶液 |
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