テクニＵＢＬプロセス

テクニＵＢＬプロセスは半導体チップのアルミニウム合金電極上に選択的に無電解ニッケル−置換金めっきを行い、アンダーバンプ層を形成するプロセスです。

　

１．無電解めっき法によるUnder Bump Metal形成法：

２．プロセスの特徴

• 現在のスパッタリング法に比べ圧倒的にプロセスが簡略でコストも安い。
• 選択的にアルミニウム合金電極上にのみめっきが出来る。
• 下地のアルミニウム合金と無電解ニッケル皮膜との密着が良い。
• ブリッジの発生が無い。
• PNジャンクション問題に対応。
• ナトリウムフリー無電解ニッケル浴を使用。
• 置換金浴はシアンフリー、かつナトリウム及びカリウムも含まない浴を使用。

３．テクニＵＢＬプロセスと他のプロセスの比較：

テクニＵＢＬプロセス	一般的なジンケート処理
Pad部に均一に置換金が析出	パッド部の置換金が黒色化